SK集团与英伟达达成5000亿美元合作,2027年建成AI工厂

7月26日消息,SK集团近日与英伟达正式达成价值超过5000亿美元(约合3.39万亿元人民币)的AI合作计划。 […]
韩国硅片龙头“战略掉头”:砍掉美国SiC,押注AI硅片

目前,SK Siltron正进行“战略瘦身”:果断清算持续亏损的美国碳化硅(SiC)产能,将省下的资源与精力, […]
Wolfspeed起诉Navitas专利侵权,化合物半导体专利战火再燃

Wolfspeed起诉Navitas专利侵权,英飞凌与英诺赛科互相诉讼,化合物半导体领域的专利诉讼正呈高发态势 […]
外媒称Meta计划对外出售AI算力,全球芯片股应声重挫

就在消息曝光后的次日(7月2日),Meta CEO马克·扎克伯格在公司内部员工大会上的讲话,似乎为” […]
SK海力士放缓HBM4、加码常规DRAM,存储产能分配正在发生变化

国际电子商情讯,进入到6月下旬,多家媒体报道SK海力士正在调整产能分配。 2026年上半年,SK海力士凭借HB […]
SK海力士HBM4E提前送样,12层48GB、能效暴增20%!

6月18日,SK海力士在其官网宣布,已向主要客户交付新一代AI专用高带宽内存HBM4E的12层堆叠工程样品,正 […]
1-5月中国集成电路产量2286亿块,同比增长25.4%

5月份,“人工智能+”带动传感器、集成电路等产品产量分别增长24.1%、22.9%。 国际电子商情16日讯 据 […]
全国首款龙架构农业专用SoC芯片“农芯一号”流片成功

龙芯中科联合江苏大学打造,耐高温耐腐蚀抗震抗冲击,适配精准农业与智慧农机;系”百芯计划” […]
英飞凌宣布撤离墨西哥后端制造业务

在这一背景下,剥离相对传统、附加值较低的后端封测环节,有助于公司将宝贵的资本开支更精准地投向高性能半导体解决方 […]
三星全球首发12层HBM4E样品:带宽达3.6TB/s、容量48GB

5月29日,韩国科技巨头三星电子(Samsung Electronics)正式宣布,已向全球主要客户交付业内首 […]
黄仁勋:中国终将开放AI芯片市场,但H200销售仍面临不确定性

在黄仁勋看来,中国是极其重要的市场,可能为英伟达带来高达500亿美元的巨大商机。 5月19日,英伟达(Nvid […]
中美经贸磋商传来五大好消息,这些行业将直接受益!

习近平主席指出,中美经贸关系的本质是互利共赢,两国经贸团队达成了总体平衡积极的成果,这对两国老百姓、对世界都是 […]
苹果或选择英特尔为“第二供应商”,打破对台积电“绝对依赖”

据华尔街日报最新报道,苹果公司(Apple)与英特尔(Intel)即将达成一项历史性协议,英特尔将为这位消费电 […]
DRAM供应紧缩倒逼变革,AI系统设计不再只求“堆内存”

DRAM成本飙升与供应紧缩正倒逼AI工作负载重构,边缘架构凭借更强韧性和更低内存需求成为优势替代方案。 D […]
内存争夺战:AI虹吸下的供应危机

AI需求激增,致消费电子内存获取愈发艰难。 全球半导体行业正经历重大变革,分析师称之为“存储器大转型”。202 […]
弃DRAM转战太空:Avalanche以MRAM重塑航天存储

放弃与巨头拼杀DRAM市场,Avalanche选择了一条少有人走的路:深耕高可靠的太空级MRAM。 并非所有抗 […]
美南加州大学忆阻器突破,研制出700°C熔岩级存储芯片

近日,美国南加州大学(USC)维特比工程学院的研究团队在《科学》(Science)杂志发表最新成果,宣布成功研 […]
SK海力士递表冲刺美股,为产能扩张拟募资百亿美元

韩国存储芯片巨头SK海力士(SK Hynix)正式披露,公司已向美国证券交易委员会(SEC)提交了上市申请文件 […]
三星电子扩大氮化镓代工,8英寸产线二季度量产

消息人士透露,三星的野心不止于氮化镓。公司预计今年还将推出碳化硅(SiC)功率半导体代工生产线。 3月20消息 […]
工业计算机

工业计算机是基于个人计算机技术,结合自动控制需求设计的专用设备,具有耐用性,可靠性, 定制化和无风扇设计特点主 […]
MOS故障定位与修复技巧:工程师指南

MOS晶体管因其高效能、高开关速度和低功耗特点,被广泛应用于各种电子设备中。
ESD二极管的雪崩测试:原理、步骤与常见问题

在电子设备中,静电放电(ESD)是一种常见的电气现象,可能对电子元器件造成严重损害。为了防止这种损害,
BMS设计中MOSFET选择的挑战与解决方案

在电池管理系统(BMS)设计中,MDDMOSFET扮演着至关重要的角色,它控制着电池的充放电过程。
是否有0.42mΩ的超低导通电阻MOSFET?

在现代高效率电源管理系统、BMS(电池管理系统)和高功率电子应用中,MOSFET的导通电阻(Rds(on))是决定系统效率和热管理性能的重要参数。